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簡(jiǎn)要描述：P+F傳感器NBN5-F7-E0原廠進(jìn)口P+F傳感器NBN5-F7-E0原廠授權(quán)，有原廠出庫(kù)單，正品保證，假一罰十，提供報(bào)關(guān)單，*，歡迎采購(gòu)。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2025-09-16訪 問(wèn) 量：1217產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | P+F/德國(guó)倍加福 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油,電子/電池,鋼鐵/金屬,制藥/生物制藥 |
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P+F傳感器NBN5-F7-E0原廠進(jìn)口
P+F傳感器NBN5-F7-E0原廠授權(quán)，有原廠出庫(kù)單，正品保證，假一罰十，提供報(bào)關(guān)單，*，歡迎采購(gòu)。
傳感器中的電阻應(yīng)變片具有金屬的應(yīng)變效應(yīng)，即在外力作用下產(chǎn)生機(jī)械形變，從而使電阻值隨之發(fā)生相應(yīng)的變化。電阻應(yīng)變片主要有金屬和半導(dǎo)體兩類，金屬應(yīng)變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導(dǎo)體應(yīng)變片具有靈敏度高（通常是絲式、箔式的幾十倍）、橫向效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)。P+F傳感器NBN5-F7-E0原廠進(jìn)口
壓阻式傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)擴(kuò)散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測(cè)量傳感元件，擴(kuò)散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時(shí)，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來(lái)越受到人們的重視，尤其是以測(cè)量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用為普遍。熱電阻測(cè)溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來(lái)進(jìn)行溫度測(cè)量的。熱電阻大都由純金屬材料制成，應(yīng)用多的是鉑和銅，此外，已開(kāi)始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。
熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來(lái)測(cè)量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù)。在溫度檢測(cè)精度要求比較高的場(chǎng)合，這種傳感器比較適用。較為廣泛的熱電阻材料為鉑、銅、鎳等，它們具有電阻溫度系數(shù)大、線性好、性能穩(wěn)定、使用溫度范圍寬、加工容易等特點(diǎn)。用于測(cè)量-200℃～+500℃范圍內(nèi)的溫度。
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
NJ30+U1+E2
NBB15-30GM50-WS
NBN15-30GM50-E2
NCN25-F35-A2-250-V1
NBB15-30GM50-WO
NBN15-30GM50-E0
NBB20-L2-E2-V1
NBN15-30GM40-Z0
NBN4-12GM50-E0
NJ1.5-8GM-N
NBN4-12GM50-E2
NJ2-12GM-N
NBN4-12GM50-E0-V1
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